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市场产品
IRFBE30PBF | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | IRFBE30PBF-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | IRFBE30PBF |
描述 | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB |
原厂标准交货期 | 14 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 800 V 4.1A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | IRFBE30PBF 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | - | |
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 800 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3 欧姆 @ 2.5A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 78 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1300 pF @ 25 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 125W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | TO-220AB | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
管件
| 数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
|---|---|---|
| 1 | ¥17.73000 | ¥17.73 |
| 50 | ¥14.26220 | ¥713.11 |
| 100 | ¥11.73440 | ¥1,173.44 |
| 500 | ¥9.92886 | ¥4,964.43 |
| 1,000 | ¥8.42448 | ¥8,424.48 |
| 2,000 | ¥8.00328 | ¥16,006.56 |
| 5,000 | ¥7.70237 | ¥38,511.85 |
| 10,000 | ¥7.44738 | ¥74,473.80 |
制造商标准包装
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