Littelfuse - GSD

IX4352NE 9 A 低侧 SiC MOSFET 和 IGBT 驱动器

IX4352NE 栅极驱动器具有独立的 9 A 拉电流和灌电流输出，由 IXYS（Littelfuse Technology 旗下公司）制造，可实现定制的开启和关闭时序

Littelfuse Technology 旗下 IXYS 的 IX4352NE 9 A 低侧 SiC MOSFET 和 IGBT 驱动器图片Littelfuse Technology 旗下 IXYS 的 IX4352NE 栅极驱动器是专门为驱动 SiC MOSFET 和大功率 IGBT 而设计的。9 A 的独立源极和漏极输出允许定制导通和关断时序，同时将开关损耗降至最低。内部负电荷调节器提供用户可选的负栅极驱动偏置，以改善 dv/dt 抗扰度并加快关断速度。

去饱和检测电路可感应 SiC MOSFET 的过流情况并启动软关断，从而防止可能造成损害的 dV/dt 事件。非反相逻辑输入 IN 与 TTL 和 CMOS 兼容；内部电平转换器提供必要的偏置以适应负栅极驱动偏置电压。其他保护功能包括欠压锁定 (UVLO) 检测和热关断。开漏 FAULT 输出向微控制器发出故障情况信号。

特性
  • 单独的 9 A 峰值拉灌输出
  • 工作电压范围：VDD-VSS 高达 35 V
  • 内部负电荷泵调节器，提供可选的负栅极驱动偏置
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 使用软关机接收器驱动进行去饱和检测
  • UVLO
  • 热关断
  • 开漏故障输出
应用
  • 车载充电器
  • 直流/直流转换器
  • 电动汽车充电站
  • 电机控制器
  • 电源逆变器

IX4352NE 9 A Low Side SiC MOSFET and IGBT Driver

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9A Low Side SiC MOSFET & IGBT DrIX4352NE9A Low Side SiC MOSFET & IGBT Dr0 - 立即发货$26.18查看详情
9A Low Side SiC MOSFET & IGBT DrIX4352NETR9A Low Side SiC MOSFET & IGBT Dr0 - 立即发货
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发布日期： 2024-05-14