SMC Diode Solutions

S2M0120120K/D 1,200 V 碳化硅功率 MOSFET

SMC Diode Solutions 的功率 MOSFET 具有非常低的总传导损耗和非常稳定的开关特性

SMC Diode Solutions 的 S2M0120120K/D 1,200 V SiC 功率 MOSFET 图片SMC Diode Solutions S2M0120120K/D 是单个 SiC 功率 MOSFET，采用 TO-247-4（S2M0120120K）或 TO-247-3 外壳（S2M0120120D）封装。它是一种高压 N 沟道增强型 MOSFET，具有非常低的总导通损耗和极端温度下非常稳定的开关特性。S2M0120120K/D 非常适合具有挑战性的环境中的能量敏感、高频应用。

特性
  • 正温度特性易于并联
  • 低导通电阻：典型值 RDS(ON) = 133 mΩ
  • 快速开关和低开关损耗
  • 坚固耐用的超快型本征体二极管
  • 非光亮镀锡工艺
应用
  • 电动汽车快速充电模块
  • 电动车外接充电器
  • 太阳能逆变器
  • 在线式和工业用 UPS
  • 开关模式电源 (SMPS)
  • 直流/直流转换器
  • 蓄能系统 (ESS)

S2M0120120K/D 1,200 V SiC Power MOSFETs

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200VS2M0120120KMOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V300 - 立即发货$51.94查看详情
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200VS2M0120120DMOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V284 - 立即发货$51.56查看详情
发布日期： 2024-05-15